本技術以干涉光學之導納軌跡法薄膜結構設計、超高真空鍍膜與監控設備及薄膜材料製程技術為基礎，導入離子束輔助技術，於薄膜蒸鍍製程後接續以不破真空的方式，於同腔體 (避免氧化層增生) 甫鍍 (as coated) 薄膜之粗糙表面進行臨場光學監控削薄削平之離子拋光，完成極平整薄膜之製作。經原子力顯微鏡及 X 光反射率量測結果，電子槍蒸鍍薄膜表面粗糙度 RMS 可由 6 nm 提升至極平整 (1.24 Å) 之尺度；經穿透式電子顯微鏡分析顯示本方法製鍍薄膜厚度可精準控制於 3 nm 以下且均勻性達 1%。除單層薄膜外，本方法亦可依據不同光學元件之鍍膜設計，於鍍膜製程中臨場監控並即時修正計算精密鍍製上百層之多層光學薄膜。本專利為研發團隊發展光學鍍膜技術所衍生，先進同步輻射 (台灣光子源) 科學儀器之光學元件所需極平整表面鍍膜技術亦可提供國內自製之技術支援能力；對我國半導體下世代半導體曝光技術 (photolithography) 亦可提供 13.5 nm 極紫外光學元件之薄膜製鍍關鍵技術，以降低產業整體資本門支出並提升設備在地化之基礎工業能力；在先進二維材料之發展上亦可提供均勻且平整之前段製程，故本項發明專利於國家科學任務、產業發展與新材料之開發等方面均極具重要性。

本技術整合超高真空鍍膜與監控設備及薄膜製程技術為基礎，導入離子束輔助技術，於薄膜製程後接續以不破真空的方式，於同腔體甫鍍薄膜之粗糙表面進行臨場光學監控削薄削平之離子拋光，完成極平整薄膜之製作。

本技術除光學元件與鍍膜產業之外、對先進同步輻射 (台灣光子源) 科學儀器之光學元件所需極平整表面鍍膜技術亦可提供國內自製之技術支援能力；對我國半導體下世代半導體曝光技術 (photolithography) 亦可提供 13.5 nm 極紫外光學元件之薄膜製鍍關鍵技術，以降低產業整體資本門支出並提升設備在地化之基礎工業能力；在先進二維材料之發展上亦可提供均勻且平整之前段製程，故本項發明專利於國家科學任務、產業發展與新材料之開發等方面均極具重要性。