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電子與光電 未來科技展 NEG非蒸發式吸氣材料 - 挑戰超高真空
國輻中心以磁控漸鍍的方式製備非蒸發式吸氣薄膜(NEG film)，漸鍍薄膜的真空腔中經由活化後，可以在不需要幫浦的情況下保持超高真空(-10 Torr level)，其活化溫度依照不同製程條件可控制低於200 ℃。經活化後的吸氣劑薄膜吸附殘餘的氣體，可以達到所需的真空度。
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未來科技館 大數據AI輔助分析高分子多尺度微結構技術平台 — 解構製程、微結構與材料性質的關聯密碼
透過與先進同步輻射光束線實驗站搭配的原位成型加工設備及彈性且多樣化的量測系統，構建材料製程、微結構與其產品性能間可參數化的 AI 大數據庫，開啟嶄新的材料開發新世界。
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未來科技館 應用於可見光網路通訊之多組態光感測記憶體
「可見光網路通訊」因具有寬波段及可搭配固態照明裝置的優勢，成為下世代網路通訊的最佳候選科技。本技術展示以薄膜電晶體為架構之新型多組態光感測記憶體，將可見光通訊所需之感光元件、運算元件以及記憶元件合而為一，不僅簡化製作程序，降低成本，微縮體積，更可加速傳輸速度，進一步推展未來行動通訊裝置之先進功能。
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先進材料&綠能 未來科技展 先進原子層材料與模組技術
隨著摩爾定律的快速發展，現今半導體技術已演進至小於10 nm的技術節點，材料與元件的關鍵尺寸將進入原子等級精準度的要求。因此本計畫開發各式原子層技術，包含原子層沉積、原子層退火、原子層磊晶、以及原子層蝕刻等等，以實現具有小於1nm精準度之材料沉積、退火、成長、以及蝕刻等先進半導體製程技術。
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電子與光電 創新發明館 以光纖陣列為基礎之數位化滾筒模具的製造技術
本技術結合數位光學處理技術、光纖與微透鏡陣列、精密伺服運動控制，形成一完整之「UV光筆陣列直寫」式的數位UV曝光系統，可以在一金屬滾筒模仁上製作出任意複雜圖型、細線寬、且無縫的微結構，完成一用於滾印製
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未來科技館 新世代太陽能電池之阻水氣封裝膜技術開發
利用有機層與有機無機層堆疊於封裝膜上以達到超高阻水阻氣效果，低於10e-5 (g/m2/day)，可應用於各式的軟性電子產品，並由Batch-to-Batch 批次製程，演進到Tray-to-Tray 量產批次製程，目前以Roll-to-Roll 卷對卷製程接近商轉準備。
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電子與光電 未來科技館 大面積及高色純度紫光及綠光鈣鈦礦發光二極體
有別以往單一溶液或蒸鍍法，我們結合熱蒸鍍和旋轉塗佈法各自優點，製作出大面積9平方公分鈣鈦礦LED元件，其啟動電壓約為1.5 V、電激發波長在405 nm及538 nm、頻譜半高寬為22.8 nm、色純度為95，除此之外，元件壽命可達一小時以上，這顯示結合熱蒸鍍和旋轉塗佈法在大面積元件有優勢。
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電子與光電 未來科技展 應用晶粒控制技術之積層型3D-IC
結晶矽晶粒邊界控制技術係先在絕緣層上蝕刻出規則孔洞，成長一定厚度非晶矽薄膜後，以奈秒雷射加熱熔融非晶矽形成結晶矽薄膜，由於製程中孔洞相對溫度較低，矽薄膜先從孔洞底側向結晶；最後結晶矽薄膜晶粒可控制在預先設計的規則孔洞圖案之間，製作元件於矽晶粒中可提高晶片效能及良率，以利商品化及量產積層型3D晶片。
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未來科技館 奈米雙晶銅應用於低溫/快速銅-銅接合與高韌性銅導線
電鍍111奈米雙晶銅，能提升銅接點的電與機械性質，成為下一世代的銅接點的重要材料。能夠應用在三種領域 1. 低熱預算/低電阻銅對銅直接接合 我們能在300℃時大約5秒的時間後立即完成接合，同時達到低的接觸電阻。五秒能完成銅-銅接合，目前是文獻最快的世界紀錄 2. 高韌性銅導線 3. 鋰電池銅箔
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精準健康生態系 未來科技館 開發鈀奈米薄膜電化學感測平台用於病毒檢測與抑制分子篩選
新型冠狀病毒藉由與人類細胞的ACE2受體結合感染細胞。本技術以新穎鈀薄膜電化學阻抗偵測系統為基礎，研發出新型冠狀病毒偵測平台並可用於篩選抑制新型冠狀病毒感染藥物，只需要取樣1微升(μL)的樣品，就能在21分鐘內偵測辨識新型冠狀病毒或ACE2抑制劑。
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