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電子與光電 未來科技展 小型化氮化鎵高效率轉換器及變壓器:晶片、元件到應用系統
採用寬能隙元件(GaN HEMT)建構的高功率轉換器應用。技術面由6-吋晶片開始研發到系統端應用，涵蓋6-吋矽基GaN磊晶層之優化，如磊晶緩衝層厚度和通道層。到元件製程開發跟模型建立，也利用TSMC E-mode GaN HEMT和NDL E/D-mode實現積體電路設計之低側GaN HEMT邏輯閘
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未來科技館 應用於太空電子之高抗輻射半導體技術
本技術使用氮化鎵及碳化矽半導體開發出可應用於太空電子之高抗輻射半導體技術。相較於矽材料，氮化鎵及碳化矽有大於10倍的崩潰電場、大於3倍的寬能隙及大於10倍的位移能特性，在高效率功率轉換及B5G/6G通訊上有極大的潛能並具有極佳的抗輻射能力，可廣泛應用於太空電子來輕量化電子系統及提高系統穩定性。
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先進材料&綠能 未來科技展 先進原子層材料與模組技術
隨著摩爾定律的快速發展，現今半導體技術已演進至小於10 nm的技術節點，材料與元件的關鍵尺寸將進入原子等級精準度的要求。因此本計畫開發各式原子層技術，包含原子層沉積、原子層退火、原子層磊晶、以及原子層蝕刻等等，以實現具有小於1nm精準度之材料沉積、退火、成長、以及蝕刻等先進半導體製程技術。
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未來科技館 應用第三代半導體之高功率密度先進電源
研究主題有先進電源、儲能技術、機電整合、電動車輛、電力控制等。基礎於現有研發基礎，聚焦於能源轉換效率、高電壓充電 (快充)、裝置小型化與輕量化、智慧電源管理方案等，搭配材料輕量化、以開發電源管理方案，進行即時監測電力狀態與充電裝置之適配，大幅提升智慧電力管理之應用，達成智慧城市建立之願景。
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電子與光電 未來科技館 低溫半導體缺陷消除技術
本團隊自主開發一種新的半導體製程技術與設備，能在低溫下（<250攝氏度）消除半導體元件中的材料缺陷，進而使半導體元件的特性提升、可靠度改善，該技術已多種半導體元件如LED、GaN 功率元件、SiC MOSFET上進行測試，都有明顯的特性提升效果。
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未來科技館 次世代擴增實境導航系統
本發明次世代擴增實境導航系統主要創新發展一種『虛擬導引路徑自動生成方法』，根據當前道路狀況及車前狀況影像感知結果，並搭配所發展GAN-LSTM架構之擴增實境導航網路及事前路徑規畫中所有定位點資料，以自動生成(預測)出當前場景中最適當之虛擬導航路徑，最後再結合透視投影轉換法，達到最佳擴增實境導航效果。
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未來科技館 新型高頻、高功率氮化鎵電晶體技術
"一、高功率氮化鎵元件 新設計常關型閘極氧化層堆疊與氧化鋯鉿氧化層結合，高電流（770mA/mm）與高耐壓（830V）。 二、高頻氮化鎵元件 新專利步進機二次曝光技術，達到超小線寬，操作頻率達200GHz。 三、高效率無線快充與模組 本實驗群利用頻率共振原理、E類放大器以及高頻整流實現一對多遠距快充
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