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未來科技館 高質化石墨烯晶圓於下世代半導體之磊晶應用
本技術可大面積合成高品質石墨烯，以高密度繞捲方式，搭配特殊設計之柔性擴散層，克服成產率限制，並發展超潔淨轉印技術，獲得高質化之石墨烯晶圓，並達工業化與市場化之需求。同時發展六吋石墨烯矽晶圓，延伸於磊晶基板，可解決藍寶石基板散熱不佳、Si基板晶格不匹配與SiC、GaN基板價格昂貴的瓶頸。
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未來科技館 紡織品柔性電路製程及穿戴聯網技術
團隊所開發的紡織品柔性電路製程及穿戴聯網技術，其專利布面處理及複數層導電線路層(Layout)完全不需經過蝕刻、轉印製程，不僅可連續自動化生產(piece to piece)，具有1.智慧型紡織品、2.可扭曲、3.可彎折(0-180度)、4.可清洗、5.可客製化等優點，更環保符合清潔生產的綠色趨勢。
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先進材料&綠能 未來科技館 鋁金屬合金色彩圖案技術與應用
本技術利用陽極氧化鋁(Anodic Aluminum Oxide, AAO)形成高飽和度結構色彩，並以AAO的結構色彩結合光學微影，在基板上形成圖案，可在各類鋁金屬合金工件上達到高解析度的圖案裝飾，並提出可重複書寫基板與隱形防偽技術的創新應用，達到低成本、高效率、高飽和度的AAO結構色彩與圖案化。
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未來科技館 成長於低阻SiC基板上之常關型p-GaN HEMT利用AlGaN cap層實現高閘極可靠度表現
本團隊在低阻值且零度角度的SiC基板上成長p-GaN HEMT，並且利用寬能隙材料AlGaN做為蓋帽層，藉此可以有效抑制電洞注入，達到提升閘極可靠度的目的。另外，本團隊選用零度角以及低阻值的SiC基板，除了可以大幅減少異質接面造成的晶格錯位缺陷之外，同時也大幅降低了整體成本。
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