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    • 小型化氮化鎵高效率轉換器及變壓器:晶片、元件到應用系統

      電子與光電 未來科技展 小型化氮化鎵高效率轉換器及變壓器:晶片、元件到應用系統

      採用寬能隙元件(GaN HEMT)建構的高功率轉換器應用。技術面由6-吋晶片開始研發到系統端應用，涵蓋6-吋矽基GaN磊晶層之優化，如磊晶緩衝層厚度和通道層。到元件製程開發跟模型建立，也利用TSMC E-mode GaN HEMT和NDL E/D-mode實現積體電路設計之低側GaN HEMT邏輯閘
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