本計畫研發一微感測器陣列（MDA），旨於測量極紫外、深紫外、電子束和離子束之強度和均勻性，其可檢測影像關鍵尺寸、尖銳度和影像邊緣位置等關鍵參數，符合FinFET邏輯製程要求，提供高強度對比度、寬動態範圍、內置校準系統和即時WAT分析等功能，以監控微區域製程參數變異性，提高製程穩定性並縮短開發時程。

微感測器陣列，檢測影像關鍵尺寸、尖銳度和影像邊緣位置等關鍵參數。符合FinFET邏輯製程，具高強度對比度、寬動態範圍、內置校準系統和即時WAT分析功能，自我驅動特性可即時無線感測極紫外光強度。

微型感測器陣列可偵測晶圓上入射 EUV參數，能導入EUV 曝光機設備廠商如ASML之檢測模組，為5 nm以下之FinFET 微影優化關鍵技術。可即時監控曝光機內極紫外光參數、以無線訊號傳遞，應用於需監測強度變化環境。