本技術為CMOS相容之單晶整合之IV-IV族矽光子雷射，採用低溫材料成長搭配Ge緩衝層技術，成功突破物理極限在矽基板上成長出高Sn含量的直接能隙GeSn材料，並進一步整合波導共振腔開發成雷射，最終我們達成光激發下的雷射輸出，將能作為創新矽光子晶片之重要光源，並拓展到各種前瞻新興矽光子應用。

本技術科學突破性為突破傳統IV-IV族無法發光的先天性物理限制，開發出矽光子矽基IV-IV族雷射。重點突破為利用低溫材料成長搭配Ge緩衝層技術，突破Sn在Ge中1的溶解度極限，成功成長出高Sn含量的直接能隙GeSn材料，並成功量測到窄線寬(~3nm)、低閥值(~50 kW/cm2)的雷射輸出。

本技術可作為矽光子晶片的on-chip雷射光源，以開發極致微縮、多功能性的矽光子晶片，可應用的對象包含光纖通訊、生醫檢測、光學雷達、氣體感測、量子計算等，具有廣大的應用性，以每個矽光子晶片可能都至少一個on-chip雷射光源的需求，故本技術對於矽光子技術而言具有非常大的需求，能創造極大的經濟效益。