本團隊開發前瞻單晶片三維堆疊之高密度積體電路關鍵技術，整體架構分為三層高效能電晶體元件層技術，以及應用於特殊積體電路晶片設計。各層元件開發皆已達成階段性成果以及技術亮點，同時，將利用此三層堆疊式異質電晶體元件層設計Micro-LED驅動電路與具有影像感測及顯示驅動功能之擴增實境望遠鏡用單晶片技術。

本團隊開發前瞻單晶片三維多層級堆疊之高密度積體電路技術，已成功發展四重垂直堆疊鍺錫通道閘極環繞式電晶體、負電容鰭式電晶體、10奈米厚的鐵電鰭式記憶體與高效能低漏電氧化銦基薄膜電晶體技術，未來將應用這三層前瞻元件層於高密度低延遲影像感測與顯示驅動3D-IC晶片架構，技術創新與成果具有未來科學的突破性。

本團隊已開發高遷移率鍺錫GAAFET、負電容複晶矽FinFET、複晶矽GAAFET與氧化銦基薄膜電晶體，其可整合為三維堆疊積體電路，每平方毫米之等效電晶體數量可達1.01 MTr/mm^2。不僅適用於先進半導體電子產業，亦可於特殊應用積體電路晶片，例如擴增實境望遠鏡晶片應用在國防、海洋與天文等領域。