本技術結合原子層沉積技術與奈米電子元件局部焦耳熱，解決傳統在個別奈米電子元件表面沉積不同氣體材料所需的複雜製程步驟，避免造成已沉積的氣體感測材料的汙染與剝離。本技術可將不同氣體感測材料選擇性沈積在個別奈米元件表面，該區域也是奈米元件感測最靈敏的區域。於氣體感測應用時，個別奈米元件可分別進行焦耳熱自熱，將每一個元件的表面提升至最佳反應溫度(不同材料與待測氣體的反應溫度不同)，使氣體感測最佳化。焦耳熱自熱也降底傳統氣體感測元件進行氣體感測時所需的功率消耗(> 25 mW/device)至數個 microW/device。本技術使同一晶片上的個別奈米電子元件擁有不同材料感測材料，於氣體感測時，以陣列方式感測產生多維度氣體響應圖形進行智慧判讀，有效解決目前金屬氧化物半導體氣體感測器的專一性與靈敏度問題。本技術適合廣泛的應用在環境、工業與呼氣疾病之可攜式氣體檢測領域。

本氣體感測晶片製造技術解決傳統氣體感測在同一晶片上選擇性沉積不同材料感測材料的複雜製程步驟。於氣體感測時，個別奈米元件可在焦耳熱自熱下工作，所需的功率消耗將降至數個 microW/device，遠比傳統氣體感測元件的功率消耗低1000倍以上。陣列式的氣體響應也適合AI分析，提升檢測專一性與靈敏度。

1.本技術適合廣泛的應用在環境、工業、疾病呼氣檢測領域。
2.氣體感測器的市場到西元2020可達USD 2.45 billions。