我們提出了一個以二維拓樸絕緣體為通道材料的場效電晶體，利用設計特殊的電晶體結構，使電子經過拓墣絕緣體塊材傳輸，並經由模擬二維拓樸絕緣體（以SnF為例）的能帶結構計得知電子等效質量，最後計算出此電晶體的彈道電流值。

"1.	改善了以往二維電晶體面臨的問題：TMD材料電流過低的問題和石墨烯電晶體不易關閉的問題。
2.	由於拓樸絕緣體本身的量子自旋霍爾效應，材料的邊緣呈現出類似金屬的特性可幫助電子傳導。"

因二維材料本身具有特殊的電子傳導、結構及機械特性，且易與現今元件製成整合，因此在半導體製程持續微縮的情況下，被視為具有極大潛力取代矽元件之新穎材料。