本技術在國際上首次提出運用共焦繞射在深度偵測上的妙用，利用共焦繞射所形成的空間繞射圖形，與量測之深度物理量進行交相關運算，進而建立兩者的精準關係，經驗證此方法之重複度可控制一百奈米以內，可完全免除共焦量測之垂直掃描動作，大幅提升線上檢測掃描效率，並有效避免線上環境振動可能帶來的量測干擾與誤差，可達到

"微凸塊的直徑大小、間距、位置偏差、高度差異與整體共面程度都會決定封裝成品的表現與成敗。然而微凸塊的量測以現有的諸多量測技術與設備都有其限制。
雷射三角法 (laser triangulation-based methods) 在微凸塊的尺寸級別已經無法有效量測；白光干涉 (white-light 

隨著半導體產業的持續發展，封裝技術已然進入3D-SIC時代，在3D-SIC封裝內部連接各晶片的微凸塊(micro bumps)成為封裝良率至關重要的一環，微凸塊的直徑大小、間距、位置偏差、高度差異與整體共面程度等參數，均將決定封裝成品的表現與成敗。微凸塊直徑約在25 μm上下，間距約40 μm，高度